全球知名半导体制造商ROHM面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT的、高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)技术。
ROHM通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。
该GaN器件所采用的封装形式，具有出色的散热性能且通用性非常好，在可靠性和可安装性方面已拥有可靠的实际应用记录，将使现有硅器件的替换工作和安装工序中的操作更加容易。
该GaN器件不仅提高了栅极-源极间额定电压并采用了低电感封装，还能够更大程度地发挥出器件的性能，与硅器件相比，开关损耗可降低约65%。
